机译:具有440GHz的f {sub} T和26GHz的0.7dB噪声系数的50nm T-Gate变质GaAs HEMT
机译:具有噪声系数为3.5 dB的183 GHz变形HEMT低噪声放大器
机译:具有低噪声和高$ f_ {T} $特性的50nm T门InAlAs / InGaAs变质HEMT
机译:低噪声高性能50nm T栅极变质HEMT,截止频率f / sub T /为440 GHz,适用于毫米波成像接收器应用
机译:具有48dB SFDR的10位DC-20 GHz多归零DAC
机译:用于汽车工业的77 GHz GaAs耿氏二极管芯片的制造与表征
机译:低噪声高性能50nm T栅极变质HEmT,截止频率f T sub> 440 GHz,适用于毫米波成像接收器应用
机译:100-GHz单片共源共栅Inalas / InGaas HEmT振荡器